热离子发射器（TE）
在热离子状态下工作的阴极被加热到高温。当电子有足够的热能来克服制造阴极的材料的功函数时，就会发生发射。
我们的热离子阴极由六硼化镧 （LaB6） 和六硼化铈 （CeBix®） 的 Sl.均 LaB6和 CeBix® 是低功函数材料，可生产相对高亮度的阴极，具有适度的真空要求和较长的保质期。这些阴极可在高达 20 A/cm 的电流密度下提供长期、稳定的运行2，使其成为 SEM、TEM、电子束灭菌、表面分析和计量等小光斑应用以及 X 射线生成、光刻和增材制造等大电流应用的理想选择。
在 APT，我们种植和制造自己的高质量单晶 LaB6和 CeBix® 内部使用一种工艺，生产市面上最纯净和最低的功函数材料。精炼后，我们的硼化物可以定制成各种形状，具有不同的加热、安装和底座配置，所有这些都旨在满足客户的操作和性能要求。
功函数略低于 LaB6，CeBix® 阴极在略低的工作温度下产生更高的电流。因此，CeBix® 源的亮度略高，使用寿命更长。APT 是世界上唯一的 CeBix® 阴极商业生产商。
还可以提供 LaB6和 CeBix® 单晶棒和圆盘。
冷场发射器 （CFE）
与热离子和热场发射器不同，CFE 在室温下工作。当响应强电场的应用而发射电子时，就会发生场发射。为了实现这个高场，单晶钨被蚀刻到显微镜下锋利的尖端。CFE 是非常高亮度的光源，因此在需要高电流密度和可实现极高真空条件的应用中表现出色。
在 APT，我们在内部种植和加工自己的单晶钨。我们的蚀刻工艺可以根据客户的要求进行定制，并受到严格控制以保证质量和一致性。APT 可以为 CFE 提供任何发射极基座/抑制器配置，包括 FEI/Philips、Denka、Hitachi、JEOL 和定制配置。
锆钨 （ZrOW） 热场发射器 （TFE）
热场发射器 （TFE） 与热电子发射器一样被加热，但也经过电化学蚀刻，具有显微镜下锋利的尖端，类似于冷场发射器的方式。由于发射器的清晰度及其在操作过程中指向抑制器的方向，在源尖端会产生非常高的电场。场对势垒的降低以及通过加热提供给电子的热能产生了能够在非交叉模式（或虚拟源模式）下运行的源。因此，与热离子发射器不同，TFE 不受空间电荷限制，并且比典型的热离子源亮几个数量级。
APT 现在提供锆钨热场发射器 （ZrOW TFE），俗称肖特基源。ZrOW TFE 是行业标准发射器，适用于需要高亮度、提高空间分辨率、稳定发射和长寿命的电子束应用。我们的 ZrOW 源符合一般 OEM 性能规格和操作参数，可以制造成定制的端形（半径）几何形状和任何发射极基座/抑制器配置，包括 FEI/Philips、Denka、Hitachi、JEOL 或定制配置。
数十年的研究、开发和电子源制造，APT对电子发射物理学的深入了解，成为世界领先的商用热敏、场发射和热场发射阴极生产商，这些产品用于显微镜、微量分析、X 射线生成、光刻、增材制造或任何其他需要高亮度源的电子束应用。
APT的研发团队与客户合作，设计定制的阴极以满足客户需求。
使用此图表可比较我们的 TE、CFE 和 TFE 离子源的一般操作要求和性能规格：
