HiPIMS高功率脉冲磁控溅射技术
高功率脉冲磁控溅射HiPIMS是磁控溅射领域的一项前沿技术突破。该技术采用特殊电源系统，通过产生高能量短脉冲生成高密度等离子体放电，使被溅射原子实现高度电离（传统磁控溅射中镀膜材料大多保持中性）。电离流的定向控制可显著增强镀膜特性的可控性。
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技术原理
HiPIMS技术通过极高峰值电压与电流密度，以短脉冲（典型脉宽50-200微秒）、低频率（约500赫兹）及长周期间歇（最低可达百分之一秒级）的方式作用于溅射靶材。其占空比通常控制在10%范围内，既能维持工艺稳定性，又可最大限度减少热效应。
性能优势
HiPIMS技术能有效改变成膜形态与结构，显著优化薄膜的致密性、硬度、表面形貌、折射率和附着强度等关键性能。
专业解决方案
Angstrom Sciences开发出系列专用溅射阴极，可承受极端功率密度并满足连续化生产需求。除了专利湍流靶材冷却技术外，我们的HiPIMS阴极在阳极体与安装法兰中集成多通道冷却系统，确保工艺过程中始终维持最佳冷却状态。
核心技术特征
被动/主动复合磁阵系统：保障靶面磁场强度在整个靶材寿命期内保持稳定，这对减少电弧效应和实现最优电离率至关重要
实体阳极结构：为HiPIMS等高功率长时运行工艺提供持续稳定的重复性性能
产品系列
提供圆形、线性及圆柱形全系列HiPIMS磁控管设计。
过程监控系统
同步提供Plasus EMICON FS系统——集快速光谱与电学监测于一体的工业级解决方案，可对HiPIMS及脉冲直流溅射等脉冲等离子体工艺进行脉冲级实时过程监控。其突破性时间分辨率树立了工业过程控制的全新国际标准。
