美国 ANGSTROM ENGINEERING 金(Au)涂层 硅晶片和芯片

金(Au)涂层 硅晶片芯片

所有涂层均在高真空条件下通过电子束蒸发沉积而成。应用领域包括纳米技术、生物技术和原子力显微镜应用。

在硅和金涂层之间使用薄铬附着层。该附着层为可选项,也可根据要求用钛代替。所有晶圆均在洁净室环境中包装,并以单独的晶圆载体装运。

基底
硅晶片(特级)

类型/掺杂剂: P/硼
方向 <100>
电阻率: 1-50 Ω-cm
正面:抛光
背面:蚀刻
涂层
金,Au

纯度: 99.999
沉积技术: 电子束蒸发
沉积速率: 1-2 Å/s 1-2 Å/s
工艺压力 ≤ 2E-6 Torr
附着层 铬 (99.95 %)


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