德国AMMT MPSB多孔硅湿法蚀刻系统, 可用于4英寸、6英寸和8英寸的晶圆尺寸

德国AMMT MPSB多孔硅湿法蚀刻系统

MPSB多孔硅湿法蚀刻系统是多孔硅形成和硅电抛光的完整解决方案。AMMT与我们的多孔硅电源PS2一起,为这一系列制造方法提供了一体化解决方案。MPSB可用于4英寸、6英寸和8英寸的晶圆尺寸。MPSB双电池可作为桌面设置,也可集成到专用的湿台中。出于安全考虑,MPSB多孔硅湿法蚀刻系统可配备用于连续HF蒸汽提取的连接。连接PTFE排水阀可直接进行HF处理。作为一种选择,光学窗口允许光辅助多孔硅形成。由厚石英盘支撑的耐HF蓝宝石窗口可安装在密封法兰中,以防止破裂。如果不需要照明,可以安装盲盖。

晶片被安装在一个可拆卸的晶片支架上,该支架用双O型圈密封。然后将晶片保持器放置在分离板中的圆形开口的前方,并最终通过气动执行器驱动的卡扣固定到位。一旦闭合锁扣,阴极和阳极电池在MOhm范围内相互绝缘。两个铂网电极,每个电池中一个,用于从两侧接触晶片。为了确保均匀的电场,电极的尺寸与晶片相同。处理后,可以通过搬运工具安全地移除晶片架,HF蚀刻剂仍留在槽中。第一冲洗(和可选的固定步骤)可以在晶片安装到晶片夹持器中的情况下完成。

MPSB多孔硅湿法蚀刻系统可用功能:
类金刚石碳(cDLC)电极
一些环境需要完全无金属离子的晶片处理,例如,如果晶片应该进入CMOS生产线进行进一步处理。AMMT还为MPSB提供硅电极,无论是硅牺牲电极还是导电类金刚石碳涂层。

HF蚀刻剂再循环和冷却
HF液体可以任选地通过PTFE隔膜泵再循环。该循环回路还允许通过回路内热交换器进行HF冷却。HF再循环避免了表面蚀刻剂的耗尽,并确保了气泡的去除。如果需要高电流密度,冷却蚀刻剂可以避免蚀刻剂升温。

湿式工作台集成
AMMT提供占地面积小的研发湿台,该湿台设计为交钥匙系统,容纳MPSB双电池以及系统的所有其他组件。如果配有控制PS2恒流源的笔记本电脑,并允许监测蚀刻剂温度等

MPSB晶圆架
除了用于2英寸、3英寸、4英寸、5英寸、6英寸和8英寸晶圆的常规晶圆架外,我们还为多孔硅系统提供独特的晶圆架

MPSB多孔硅湿法蚀刻系统


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