Beam Imaging Solutions DCIS-100 直流离子源组件,BIS离子源

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Beam Imaging Solutions （BIS） 推出新型 DCIS-100 离子源组件。该离子源为 Colutron 热阴极放电类型，与 G-1 型和 G-2 型离子枪系统配合使用。该离子源类似于 Colutron 氮化硼离子源（100 型）设计，但由高度耐用的氧化铝陶瓷 （Al2O3).与氮化硼源不同，DCIS-100 的初始放气时间以分钟为单位，而不是由于氮化硼的吸湿性而以小时为单位。氧化铝的机械性能也比氮化硼更高。DCIS-100 也比 Colutron 100-Q 型石英离子源更耐用，并且能够为更高电流的离子束提供更高的温度和阳极放电电流。现在可以在放电室中产生轴向磁场的新型 Colutron 型散热器可用。
离子源可作为完整组件（100 型）提供，带有离子源（DCIS-101 型）、插座法兰 （DCIS-102）、气三通和固体电荷座。DCIS-101 离子源也可单独提供，可插入标准 Colutron 插座法兰。也可提供带柱温箱的离子源。该烘箱用于蒸发高达 2000C 的固体材料。 传统的 Colutron 100-Q 型离子源和备件现在也可从 Beam Imaging Solutions 获得。许多部件，如灯丝、阳极、接触线和源插座法兰，都可以在传统的石英和陶瓷版本之间互换。氮化硼版本的零件也可用。 Beam Imaging Solutions离子源规格：
Model DCIS-100, DCIS-101, DCIS-102, DCIS-103, DCIS-103-2
Ion Source Flange 2.75″ Conflat, Model DCIS-102, 5 Terminal with gas input(1/4″)
Power Supply Requirements Anode: 250v, 0.5A, Filament: 16V, 20A
Oven Ion Sources (Temperatures up to 2000C) Oven Power Supply Requirements: 6V, 12A

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