德国CrysTec GmbH III-V - 半导体 /II-VI -半导体晶片和衬底

III-V - 半导体 /II-VI -半导体晶片和衬底

基础半导体（硅、锗）和半导体化合物（例如GaAs、GaP、InP、InSb、CdTe、ZnSe...）
标准晶片和预制衬底直接从库存供应，也可单独购买
可按要求提供特殊形状的晶体和非标准性能

III-V - 半导体标准产品

直径：2英寸至3英寸 厚度：300至500微米 取向：(100)(111)(110)

厂家可现货供应部分产品
根据需求提供其他规格
也可提供单个件

GaAs - 砷化镓晶格常数：0.565 纳米掺杂剂：Si、Te、Zn、无掺杂 GaP - 磷化镓晶格常数：0.545 纳米掺杂剂：Cr、S、Zn、无掺杂 GaSb - 锑化镓晶格常数：0.609 纳米掺杂剂：Te、Si、Ge、无掺杂 InAs - 砷化铟晶格常数：0.606 纳米掺杂剂：S、Zn、无掺杂 InP - 磷化铟晶格常数：0.587 纳米掺杂剂：Fe、S、Cd、无掺杂 InSb - 锑化铟晶格常数：0.648 纳米掺杂剂：Te、Ge、无掺杂

II-VI -半导体标准产品

尺寸：10x10 毫米²，直径30 毫米厚度：0.5 毫米，1 毫米取向：(100)(111)(110)

厂家可现货供应部分产品
根据需求提供其他规格
也可提供单个件

ZnS - 硫化锌晶格常数：0.541 纳米 ZnSe - 硒化锌晶格常数：0.567 纳米 ZnTe - 碲化锌晶格常数：0.610 纳米 CdS - 硫化镉晶格常数：a=0.414 纳米，c=0.672 纳米 CdSe - 硒化镉晶格常数：a=0.430 纳米，c=0.701 纳米 CdTe - 碲化镉晶格常数：a=0.648 纳米