美国 UNIVERSITY WAFER 熔融石英晶圆 UV、JGS1、JGS2、JGS3

美国 UNIVERSITY WAFER 熔融石英晶圆 UV、JGS1、JGS2、JGS3 熔融石英晶圆是高纯度二氧化硅的薄片,用于生产半导体芯片等电子设备。熔融石英,也称为熔融石英,是一种高纯度和透明的二氧化硅形式,是通过在高温下熔化天然存在的石英砂制成的。熔融石英晶片具有很强的耐热性、耐化学性和耐化学性,使其成为电子设备生产中的理想基板材料。由于透明度高、吸收光率低,它们还用于生产光学元件,例如镜头和镜子。

熔融石英 JGS1、JGS2、JGS3

我们备有所有三个等级的库存,供您各自的研究使用

直径

厚 (um)

波兰语

50.8 毫米 500 微米 擦光

JGS2 熔融石英顶部 Ra <1nm,背面粗糙度 Ra <1nm,S/D 40/20

50.8 毫米 100 微米 DSP
76.2 毫米 500 微米 DSP

1 平面 JGS2 初级平面 32.5+/-2mm,顶部 Ra <10A,S/D 40/20

100 毫米 500 微米 DSP

机械级熔融石英

100 毫米 500 微米 DSP
100 毫米 1000 微米 DSP

熔融石英 JGS2 经轴 <30um 弓 <30um, TTV <10um, 顶面 Ra <1.0nm 背面 Ra <1.0nm, S/D 60/40 平面: 32.5+/-2mm

100 毫米 700 微米 DSP
100 毫米 180 微米 DSP

熔融石英晶圆,JGS2,C 坡口,2.50 mm +/- 0.10 mm

100 毫米 2500 微米 DSP

用于评估热膨胀和荧光/自发荧光特性的熔融石英基底

机械性能:

  1. 密度:约 2.2 g/cm³。
  2. 杨氏模量 (E):通常在 72 GPa(千兆帕)左右,表明其刚度。
  3. 泊松比:大约 0.17,这是相对收缩应变(横向、横向或径向应变)与相对拉伸应变(或轴向应变)的比率。
  4. 硬度:莫氏硬度在 7 左右,使其相对坚硬且耐刮擦。
  5. 抗张强度:通常约为 48 MPa(兆帕)。表面缺陷会显著降低实际拉伸强度。
  6. 抗压强度:超过 1 GPa,远高于其抗拉强度。
  7. 热膨胀系数:非常低,约为 0.55 x 10⁻⁶/°C,使其在很宽的温度范围内保持稳定。

光学特性:

  1. 折射率:在 589 nm(可见波长)处约为 1.4585。该值在不同波长上会略有变化。
  2. 传输:熔融石英在紫外线 (UV) 到红外线 (IR) 范围内具有高度透明性。它具有出色的透射率,在紫外到近红外范围内通常超过 90%。
  3. 阿贝数:约为 67.56,表明色散相对较低。
  4. 双 折射:熔融石英是各向同性的,当它不受应力时不会表现出双折射。
  5. 吸收:熔融石英在紫外到近红外范围内的吸收率最小,但在深紫外和远红外范围内的吸收率会增加。

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