离子源 IS 40E1 离子枪用于XPS，ISS和SIMS中的深度剖析样品表面清洁

离子源IS 40E1–两个透镜，提取器类型，聚焦。适用于深度剖面（Ar），能够使用O2、H2、碳氢化合物和所有惰性气体等反应性气体进行操作。该源能够以建议的工作距离栅格化 10 mm x 10 mm 的表面区域。它特别适用于XPS，ISS和SIMS中的深度剖析。该源也可用于样品表面清洁。技术规格：

安装法兰	DN 40CF（可旋转）
气体	氩气和反应气体（O₂， H₂寿命缩短的碳氢化合物）
能量范围	0.15 keV – 5 keV
扫描区域	10 毫米 x 10 毫米（工作距离为 23 毫米）
电流密度	高达 4 mA/cm²（距离 23 毫米）
光束电流	> 1 μA（距离 23 mm 时）
阴极类型	氧化钇涂层铱丝
锥角小	50
插入长度	163 毫米（标准）
FWHM	取决于工作距离（例如，距离 150 mm 时为 < 23 μm）
典型工作距离	23 – 120 毫米
烘烤温度	250 °C
工作压力	10^-8毫巴（最大光束电流）

特征：

特殊配置的鼻锥
使用惰性（Ar）和反应气体（O₂， H₂，寿命缩短的碳氢化合物）
连续可变光斑尺寸
极其均匀的火山口/光束轮廓
侧面可更换灯丝
特高压气体入口
室内保持特高压条件
集成扫描和偏转单元
入射电子束角度校正（由IS40-PS电源提供）

选项：

维恩质量过滤器
气体计量系统
直线移位： 25， 50， 75， 100 mm
泵组（2级）
真空计套件

离子源电源 IS40-PS 高稳定性和低噪音电源，可配置为与IS40C1或IS40E1离子源配合使用。

离子源 IS 40E1 模式 IS40-PS 电源驱动 IS40E1 扫描离子源。它允许微调主光束能量、离子密度和光束轮廓（通过调整提取器、聚焦透镜、偏转和定位元件）。通过数字编码器最多可改变 4 个参数。每个参数的当前状态显示在大型前面板LCD显示屏上。所有设置都可以手动调整，也可以在设备打开后自动存储和调用。该装置还具有内置定时器和自动待机模式。通过 USB 端口轻松更新固件。设备可通过RS232/485或以太网接口进行远程控制。自动保存功能，用于保存参数/单位预设并在重新启动后自动应用它们。 提供维恩过滤器选项。 离子源 IS 40C1 模式 IS40-PS 电源驱动 IS40C1 离子源，用于大面积 UHV 样品清洁和制备。IS40-PS 电源允许通过数字编码器微调光束能量和离子密度。所有设置都可以手动调整，也可以在设备打开后自动存储和调用。该装置还具有内置定时器和自动待机模式。通过 USB 端口轻松更新固件。设备可通过RS232/485或以太网接口进行远程控制。自动保存功能，用于保存参数/单位预设并在重新启动后自动应用它们。技术规格：

电源电压	100V – 240V，50-60Hz （最大功耗250W）
定时器	双模式定时器，0 秒 – 99 小时 59 分钟
真空测量（可选）	CTR90， TTR91， TTR211， PTR225， PTR90， ITR90， ITR100， Baratron，模拟输入， MKS937A， PG105， MG13/14， PKR251/360/361， PCR280， ATMION
用户界面	7“ TFT 显示屏，带触摸屏，数字编码器
通信接口	RS232/485，以太网
通信协议	MODBUS-TCP
界面语言	英语，德语，波兰语
尺寸 [毫米]	483 x 133 x 437 mm（宽 x 高 x 深），19“ 机架安装

规格（IS40E1 模式）

光束能量（E）	0 – 5 keV，分辨率 0.01 keV，纹波 < 0.2 V_PP
发射电流（I_e)	0.01 mA – 10 mA，分辨率 0.01 mA
焦点（1，2）电压	0 – 5000 V，分辨率 1 V，纹波 < 0.2 V_PP
提取器电压（Ex）	60 – 100% 能量，分辨率 0.1%，纹波< 0.2 V_PP
光束位置（像素、像素）	-5 毫米至 5 毫米，分辨率 0.01 毫米
扫描区域（Δx、Δy）	10 毫米 x 10 毫米，分辨率 0.01 毫米
扫描速度（时间/点）	20 μs – 30 ms
重量（大约）	12 公斤

规格（IS40C1 模式）

光束能量（U_英)	0.00 keV – 5.00 keV，分辨率 0.01 keV，纹波< 200 mV
发射电流（I_e)	0.01 mA – 10 mA，分辨率 0.01 mA
重量（大约）	9.2 千克