美国Thermo Electric晶圆、BTC700H键合晶片、最高温度700°C、晶圆键合设备

美国Thermo Electric晶圆、BTC700H键合晶片、最高温度700°C、晶圆键合设备 仪表化晶片(热电偶、键合晶片或RTD)在半导体加工设备中得到应用,其中了解和控制晶片表面的温度是至关重要的。 Thermo Electric公司的仪表化晶片正被用于许多行业,包括快速热处理(RTP)、快速热退火(RTA)、曝光后烘烤(PEB)、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、离子注入、太阳能电池和许多其他热驱动工艺。 Thermo Electric公司拥有设计和安装热电偶的专业知识,热电偶安装在各种衬底上,包括硅、AlTiC、玻璃、陶瓷和其他提供的裸衬底, 涂覆的或图案化的基底。其他定制基板,形状和尺寸可用。 BTC-700H提供了一个配对晶片对的低姿态和精确的垂直对准,以确保快速和准确的响应。该产品将对典型晶圆焊接过程中出现的静态和动态温度变化做出响应。 BTC700适用于晶圆键合设备,在这种设备中,需要了解和控制配对硅片表面的温度均匀性。MEMS、MOEMS、绝缘体上硅(SOI)、晶片级封装和三维芯片堆叠是采用晶片键合的主要技术类别。 键合晶片可以由任何直径的晶片制造,从而可以在技术上尽可能接近地遵循特定的键合工艺。作为该产品的用户,您可以对晶圆焊接过程中出现的温度变化做出快速、准确和可靠的响应。   美国原装TC WAFER晶元热电偶 ,晶元,Wafer,晶圆,晶元芯片, 晶圆芯片,wafer晶圆 PRODUCT TEMPERATURE RANGES Low Temp: -150 to 700°C High Temp: -150 to 1,200°C THERMOCOUPLE CALIBRATION (ACCURACY) ● Type K: (±1.1°C or 0.4%) Range -270 to 1,372°C ● Type N: (±1.1°C or 0.4%) Range -270 to 1,300°C ● Type E: (±1.0°C or 0.4%) Range -270 to 1,000°C ● Type T: (±0.5°C or 0.4%) Range -270 to 400°C ● Type R/S: (±1.5°C or 0.25%) Range -50 to 1,768°C Thermo electric晶圆、晶圆传感器、 智能温度传感器、晶圆片、半导体硅晶圆、半导体晶圆、晶圆电阻、RTD晶圆电阻式温度检测器、电阻式温度检测器、RTDS传感器、硅片晶圆

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