Idonus HF气相蚀刻机VPE系列VPE100、VPE150、VPE200

HF气相蚀刻机VPE系列VPE100、VPE150、VPE200 VPE由反应室和盖子组成。加热元件集成在盖子中。它控制待蚀刻基板的温度。晶片夹紧可以通过两种方式实现：晶片可以通过使用夹紧环进行机械夹紧。拧紧是从设备的背面进行的，该背面永远不会与氢氟酸（HF）蒸汽接触。这3个螺母很容易用防护手套处理。另一种选择是静电夹紧。单个芯片（长度超过10毫米）以及晶片都可以夹在加热元件上。晶片的背面受到保护，免受蚀刻。将液态HF填充到反应室中。反应室用盖子封闭。HF蒸汽在室温下产生，蚀刻过程自发开始。蚀刻速率由晶片温度控制，晶片温度可在35°C至60°C之间调节。加工后，酸可以储存在储器中，以便在可密封的容器中重复使用。液体转移只需用手柄降低连通的储液器即可完成。由于重力作用，酸流入储液罐，可以通过两个阀门关闭。通过打开阀门并提起手柄来重新填充反应室。酸流入反应室。酸可以重复用于多次蚀刻，直到必须更换为止。VPE系统占地面积小，可以很容易地集成到现有的流箱中。温控反应室（TRC）二氧化硅的蚀刻速率随反应室中液体HF的温度略有变化。HF的温度取决于洁净室的环境温度。此外，HF在长时间蚀刻过程中会加热，导致晶片之间的蚀刻速率增加，直到系统稳定。为了稳定蚀刻速率，我们有一个带有温度控制液体HF的反应室。HF的温度可以通过额外的控制器进行调节。将HF酸加热到阈值温度以上可以在蚀刻过程中保持温度稳定。

MEMS静摩擦

二氧化硅通常用作微机械结构的牺牲层。例如，绝缘体上硅(SOI)晶片上的深度反应离子蚀刻(DRIE)器件通常在液体氢氟酸(HF)中释放。在去离子水中冲洗晶片后，水的表面张力破坏了释放的结构或结构相互粘附。

静摩擦的解决方案:含碘的HF蒸汽VPE

在HF蒸汽中蚀刻二氧化硅是一种准干法。由于HF蒸汽环境中的湿度，在晶片上存在非常薄的水膜。HF被吸收并蚀刻二氧化硅(SiO₂).在反应过程中，产生硅烷和水。硅烷以气相形式逸出。有趣的是，在这个反应中，水起引发剂的作用，并且是由反应过程本身产生的。在加热衬底时，可以通过控制表面上的水量来调整蚀刻速率。在4-6微米/小时的蚀刻速率下，大多数结构可以被释放而不会粘连。蚀刻进度和均匀性如下图所示。