德国CrysTec GmbH 半导体材料硅/锗晶片和衬底 III-V - 半导体
半导体材料硅/锗晶片和衬底
标准：
直径：2“-3”
厚度：300-500µm
取向：（100）（111）（110）砷化镓
晶格常数：0.565纳米
掺杂剂：Si、Te、Zn，未掺杂
GaP-磷化镓
晶格常数：0.545纳米
掺杂剂：Cr、S、Zn，未掺杂
GaSb-镓锑化物
晶格常数：0.609纳米
掺杂：Te、Si、Ge，未掺杂
-部分来自库存
-根据要求提供其他格式
-也是单件
砷化铟
晶格常数：0.606纳米
掺杂剂：S、Zn，未掺杂
磷化铟
晶格常数：0.587纳米
掺杂剂：Fe、S、Cd，未掺杂
InSb-锑化铟
晶格常数：0.648纳米
掺杂：Te、Ge，未掺杂
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