innolume, 超级发光二极管,(SLD)
innolume, 超级发光二极管,(SLD),类似于激光二极管，超辐射发光二极管基于电驱动的pn结，当正向偏置时，该pn结变成光学活性的，并在宽波长范围内产生放大的自发辐射。SLD的峰值波长和强度取决于活性材料成分和注入电流水平。SLD被设计成对于沿波导产生的自发辐射具有高的单程放大，但是与激光二极管不同，不足以反馈来实现激光作用。这是通过倾斜波导和抗反射涂层小平面的联合作用非常成功地获得的。
SLD是具有相当宽的光学带宽的光源。因为它们不同于光谱非常窄的激光器和光谱宽度大得多的白光源。这一特性主要反映在光源的低时间相干性上(这是发射光波随时间保持相位的有限能力)。然而，SLD可以表现出高度的空间相干性，这意味着它们可以有效地耦合到单模光纤中。一些应用利用SLDs源的低时间相干性来实现成像技术中的高空间分辨率。相干长度是经常用来表征光源的时间相干性的量。它与光干涉仪两臂之间的光程差有关，光波在该光程差上仍能产生干涉图样。
一方面，SLD是被优化以产生大量放大自发辐射(ASE)的半导体器件。为此，它们集成了高功率增益部分，其中种子自发辐射以30 dB或更高的高增益系数放大。另一方面，SLD缺乏光学反馈，因此不会发生激光作用。通过相对于波导倾斜刻面来抑制由来自光学部件(例如进入腔内的连接器)的光的背反射产生的光学反馈，并且可以用抗反射涂层来进一步抑制。避免了谐振器模式的形成以及光谱中的明显结构和/或光谱变窄。
| Part number | Mean wavelength | Bandwith FWHM | Output power | Operating current | Forward voltage | Ripples RMS1 | PER |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| nm | nm | mW | mA | V | dB | dB | |
| SLD-1000-100-YY-15 | 1000 | 100 | 15 | 400 | 1.6 | 0.05 | 20 |
| SLD-1030-25-YY-130 | 1030 | 25 | 120 | 800 | 1.8 | 0.05 | 21 |
| SLD-1030-110-YY-12 | 1030 | 110 | 12 | 400 | 1.7 | 0.02 | 19 |
| SLD-1050-120-YY-40 | 1055 | 120 | 40 | 700 | 1.7 | 0.05 | 20 |
| SLD-1060-20-YY-120 | 1060 | 20 | 120 | 800 | 1.8 | 0.05 | 20 |
| SLD-1060-15-YY-300 | 1060 | 15 | 300 | 1700 | 2.0 | 0.3 | 21 |
| SLD-1064-20-YY-350 | 1064 | 20 | 350 | 850 | 1.9 | 0.8 | 18 |
| SLD-1090-30-YY-100 | 1090 | 30 | 100 | 800 | 1.7 | 0.05 | 16 |
| SLD-1120-20-YY-30 | 1120 | 20 | 30 | 300 | 1.5 | 0.05 | 20 |
| SLD-1140-80-YY-0.5 | 1140 | 80 | 0.5 | 250 | 1.3 | 0.05 | 19 |
| SLD-1190-90-YY-0.5 | 1190 | 90 | 0.5 | 315 | 1.4 | 0.02 | 19 |
| SLD-1250-110-YY-4 | 1250 | 110 | 4 | 800 | 1.5 | 0.05 | 19 |
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