德国Sglux- UV 光电二极管 SG01L-BC5- SiC探测器

SG01L-BC5

UV 光电二极管

UVB+UVC
1.00 mm2 探测器面积
TO5封装密封,带1个绝缘引脚和1个封装
10 μW/cm2 辐射在 280 nm (峰值灵敏度) 产生大约一个电流。17 nA
高辐射强度SiC UV光电二极管芯片(通过PTB检测)

SiC具备极高的辐射硬度、几乎完美的可见光盲区、低暗电流、高速度和低噪声等独特特性。这些特点使SiC成为目前可见光盲区半导体紫外探测器的最佳材料。按照标准，Sglux的SiC探测器可以在高达170°C的温度下永久运行，还提供350°C的版本。温度系数也很低，< 0.1%/K。由于噪声低（暗电流在fA范围内），可以可靠地测量非常低的紫外辐照度。请注意，此设备需要适当的信号转换器（参见第3页的典型电路）。光电二极管提供七种不同的活性芯片面积，从0.06 mm²到36 mm²。标准版本是宽带UVA-UVB-UVC。四种滤波版本可以带来更严格的灵敏度范围。所有光电二极管都具有密封金属外壳（TO型），直径为5.5毫米（TO18）或9.2毫米（TO5）。进一步的选项包括2针头（1个隔离，1个接地）或3针头（2个隔离，1个接地），以及用于低于200纳米的真空紫外测量的SG03系列，或增强UVA灵敏度范围的6H系列，SMD封装的光电二极管，以及具有圆形活性区域的光电二极管，用于更均匀的视场。