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光源引擎（UV-EXP-LE） 在UV-EXP内部嵌入了我们的高性能UVLED光源引擎（UV-EXP-LE）。通常，单个LED发出365 nm、385 nm、395 nm、405 nm、435 nm或这些波长的组合光（标准提供365/405/435 nm）。UV-EXP-LE由电子设备精确控制，并通过空气或水进行冷却。安装在UV-EXP背面的电源模块提供所需的工作电流。LED产生的原始光经过高品质的均匀化光学系统处理后，释放到曝光源外壳中。 曝光源（UV-EXP） 光源采用非反射外壳，封装光源引擎并支持远心光学系统。准直光学将发散（但已均匀化）的UV光束垂直对齐至基材。该光源为特定的曝光区域设计。根据您的基材尺寸，您可以在我们的标准尺寸（Ø150、□150、Ø200、□200和□300 mm）之间进行选择，也可提供定制尺寸。 机械底座（UV-MB）和UV保护罩（UV-SHIELD） 机械底座（UV-MB）支撑UV-EXP系统，而UV保护罩封闭工作区域。设计上提供充足的工作空间以容纳基材和对准工具。周围的UV保护罩过滤掉强烈的UV光，保护您的眼睛和周围材料，同时始终允许视觉监控。 控制单元（UV-EXP-CU）和反馈传感器（UV-SENS-GaP） 曝光系统的操作由UV-EXP-CU控制单元控制。通过UV和温度传感器的反馈回路，UV-EXP-CU控制功率、曝光时间、照射强度或剂量。为您的安全提供了联锁装置。还提供远程控制单元UV-EXP-RCU，可与现有设备协议集成。

  我们的UV-EXP曝光系统采用高功率发光二极管（LED）产生紫外线。在与目前传统系统中使用的汞灯相比，LED具有许多优势，正引发整个行业的转型。下面的表格中列出了LED技术的主要技术特点，图2介绍了对UV光刻有用的4种波长的光谱分布。 365 nm UV-LED具有最高的灵活性，是我们在大多数应用中推荐的选择。如果过程效率是关键参数，那么385 nm是某些光刻胶的最佳选择。2LE或3LE选项允许将2或3个LED安装在曝光单元上，当需要时可以在几秒钟内手动切换。

大功率UV-LED 光谱： 使用期：> 10 000 h（实际曝光时间）   时序稳定性： •无需预热时间（即时开机） •无快门 •性能随温度变化(约。最高工作温度-10%，控制反馈回路补偿)   环境影响 ： •无有害物质 •能源效率高 光线的质量 光刻需要光照射 晶圆均匀、准直、远心。 均匀性保证了相同的固化/曝光水平 完整的光刻胶表面。一个典型的辐照度不均匀度要求在±5%以下。 我们的UV-EXP产品保证±3%，无可比拟 我们的大多数竞争对手。对于每一个交付的UV-EXP，我们扫描照明区域在4000多点以上 确保其一致性。 我们的标准直线的准直角由±1°和±2°之间（取决于型号）。它是足够低的以产生小的和尖锐的特点，也适用于较厚的光刻胶层。 UV-ACA（可调准直角度）选项 引入一套可互换的固定光圈， 用于减小准直角的目的 以降低辐照度输出为代价。

  UV-EXP-CU控制单元 反馈控制 UV-EXP-CU控制单元（Gen. 2型号，默认包含） 允许完全控制您的曝光参数： •持续时间：控制曝光时间从0.1到600s •电流：控制从10提供给LED的电流 达到额定电流的100%。 •辐照度：控制UV-EXP辐照度从最小5 最大等于mW/cm²。系统的辐照度等级。 •剂量：控制总剂量（辐照度乘以持续时间） 从10到9 000 mJ/cm²。 •SPD平衡：完全控制频谱功率分布 （SPD）用于多波长光引擎。 准确的输出是由安装在UV-EXP上的磷化镓，GaP， UV-SENSGAP传感器（系统标配）保证的 外壳，它与控制单元一起调节辐照度通过闭环反馈控制。 光引擎的温度被测量和显示，并且冷却系统自动控制，保证安全操作温度。标准冷却方式为风冷热管。当需要精确的过程稳定性时（长时间工作）循环)，我们建议选择水冷（UVWA）。 一个先进的遥控单元（UV-EXP-RCU）可作为一个选项，它可以实现直接系统控制 通过modBus TCP协议控制主进程。脉冲操作为也通过UV-EXP-RCU支持。请联系我们的销售团队，如果您希望收到UV-EXP-RCU的具体技术文件。

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