UniversityWafer,蓝宝石衬底氮化镓(GaN)外延片
UniversityWafer,蓝宝石衬底氮化镓(GaN)外延片,氮化镓（GaN）的射频功率是上一代材料（包括硅）的五倍。新的GaN技术进展将使电子设备变得更加轻巧、紧凑且功能更强大。
氮化镓（GaN）在蓝宝石基板上的应用
氮化镓（GaN）的射频功率是上一代材料（包括硅）的五倍。新的GaN技术进展将使电子设备变得更加轻巧、紧凑且功能更强大。
以下是我们提供的一些GaN在蓝宝石基板上的规格。如有需要报价的规格和数量，请通过电子邮件联系我们。
GaN外延片由GaN层和6H-SiC基板组成。直径50mm，轴向，n型，GaN厚度约0.5微米。
GaN在蓝宝石上的外延片，直径50mm，轴向，n型，GaN厚度为0.5-10微米。
GaN/AIN/SiC外延片，由GaN层、AIN层和6H硅碳化物基板组成。
直径50mm，轴向，n型。
GaN厚度约为0.5-0.8微米。
AIN厚度约为0.1微米。
GaN/AIN/AI2O3外延片，由GaN层、AIN层和蓝宝石基板组成。
直径50mm，轴向，n型，GaN厚度约为0.5-0.8微米，AIN厚度约为0.1微米。
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| 项目 | 直径 | 类型/掺杂 | 方向 | GaN（μm） | Al2O3（μm） | Al2O3平面 | 表面处理 | 其他规格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2859 | 100mm | N/Si | <0001> | 5.0 | 650 | c | DSP | |
| 2521 | 50.8mm | N/Si | <0001> | 5.0 | 430 | c | DSP | |
| 2857 | 50.8mm | P/Mg | <0001> | 4-5 | 430 | c | DSP | 可用表面面积：>90%，TTV：= 10um，BOW：= 10um，Warp：= 10um |
| 2856 | 50.8mm | P/Mg | <0001> | 4-5 | 430 | c | SSP |
2英寸氮化镓蓝宝石外延片
以上是单面抛光GaN外延片，附带单片载体。
如需了解应变异质外延生长和外延过生长的相关信息，请与我们联系！
氮化镓半导体
氮化镓（GaN）是射频能量放大的理想材料，能够增强雷达和干扰器等设备的性能。过去几年，硅曾是功率电子的首选基板，但由于研究的进展，GaN已取代了硅。原因在于GaN是一种宽带隙材料，这意味着它具有较高的击穿电压和在高温下表现出色的效率。如果您需要一款高质量且可靠的产品，我们建议使用UniversityWafer的氮化镓基板。
氮化镓发光二极管
GaN薄层用于LED灯中，通过通过电流使灯泡发光。
氮化镓放大器
GaN的高功率密度被用来在D类音频放大器中产生优质的声音。
氮化镓微波放大器
GaN提升了雷达中微波信号的放大能力，提供比硅更高的电压。
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