瑞士Idonus,HF蒸相蚀刻器（VPE系列）,氢氟酸气相刻蚀机,VPE 气相牺牲层释放设备,准干法 HF 气相蚀刻仪,MEMS 无粘附释放刻蚀机,瑞士 Idonus 气相蚀刻器,MEMS 无粘附释放,SiO₂牺牲层气相刻蚀,SOI 晶圆免划片释放,单面二氧化硅刻蚀,微流控,光学 MEMS,高校微纳实验室,气相 HF 刻蚀 SiO₂,X 射线光学器件制备,芯片裸片刻蚀,4/6/8 英寸晶圆,静电卡盘 E‑chuck,单面二氧化硅刻蚀

瑞士Idonus,HF蒸相蚀刻器（VPE系列）,氢氟酸气相刻蚀机,VPE 气相牺牲层释放设备,准干法 HF 气相蚀刻仪,MEMS 无粘附释放刻蚀机,瑞士 Idonus 气相蚀刻器,MEMS 无粘附释放,SiO₂牺牲层气相刻蚀,SOI 晶圆免划片释放,单面二氧化硅刻蚀,微流控,光学 MEMS,高校微纳实验室,气相 HF 刻蚀 SiO₂,X 射线光学器件制备,芯片裸片刻蚀,4/6/8 英寸晶圆,静电卡盘 E‑chuck,单面二氧化硅刻蚀

HF蒸相蚀刻器（VPE系列）

TVPE由反应室和盖子组成。盖子内集成了一个加热元件。 它控制待蚀刻基底的温度。晶圆夹持可以通过两种方式实现： 晶圆可以通过夹紧环进行机械夹持。拧紧是从背面完成的 该装置从未与氢氟酸（HF）蒸汽。这三个螺母戴保护手套很容易操作。 另一种选择是静电夹持。单片芯片（长于10毫米）以及晶圆都可以被夹紧到 加热元件。晶圆背面受到防止蚀刻的保护。

VPE100 配备静电夹头（E-chuck） 液态氢氟化被注入反应室。反应室与盖子一同关闭。 氢氟化蒸汽在室温下产生，蚀刻过程自发开始。 蚀刻速率由晶圆温度控制，温度可调节在35°C至60°C之间。 处理后，酸可以储存在储液槽中，再用密封容器再利用。 液体转移只需用手柄降低传达的储存槽即可。由于重力， 酸流入储层，可通过两个阀门关闭。补充反应室 通过打开阀门并抬起手柄来完成。酸流入反应室。 酸可以重复用于多次蚀刻，直到需要更换。 VPE系统占地面积小，可以轻松集成到现有的流箱中。

【瑞士 Idonus VPE 系列 HF 气相蚀刻器】 告别湿法 HF 刻蚀的stiction 粘连难题 ✨ 气相氢氟酸选择性刻蚀 SiO₂，硅基底不受损伤 ✅MEMS 无粘附牺牲层释放 ✅SOI 晶圆免划片释放、背面基底保护 ✅HF 药液可循环复用，运行成本低 ✅支持 4/6/8 英寸晶圆，兼容裸片芯片，可选静电卡盘 E‑chuck 微纳加工｜MEMS｜光学器件｜高校洁净室优选设备

询价采购瑞士Idonus,HF蒸相蚀刻器（VPE系列）,氢氟酸气相刻蚀机,VPE 气相牺牲层释放设备,准干法 HF 气相蚀刻仪,MEMS 无粘附释放刻蚀机,瑞士 Idonus 气相蚀刻器,MEMS 无粘附释放,SiO₂牺牲层气相刻蚀,SOI 晶圆免划片释放,单面二氧化硅刻蚀,微流控,光学 MEMS,高校微纳实验室,气相 HF 刻蚀 SiO₂,X 射线光学器件制备,芯片裸片刻蚀,4/6/8 英寸晶圆,静电卡盘 E‑chuck,单面二氧化硅刻蚀

请用微信扫描下方二维码或手动添加微信号2351992198