Beam Imaging Solutions BOS-18-IW光束轮廓分析仪,BIS电子束观察系统
Beam Imaging Solutions BOS-18-IW光束轮廓分析仪,BIS电子束观察系统
Beam Imaging Solutions （BIS） 推出了 90 度 BOS，它允许对与成像平面成 90 度的光束进行远程成像。BOS-18-IW 可以连接到线性运动馈入件，并放置在光束内外，从而在真空室深处进行远程成像。 Beam Imaging Solutions （BIS） 推出了 90 度 BOS，它允许对与成像平面成 90 度的光束进行远程成像。BOS-18-IW 可以连接到线性运动馈入件，并放置在光束内外，从而在真空室深处进行远程成像。成像是通过将标准 BOS MCP/荧光屏堆栈安装到金属外壳上来完成的，金属外壳具有相对于成像平面成 90 度安装的镜子。外壳采用楔形设计，以最大限度地减小成像仪的物理尺寸，并具有连接到线性运动馈通的便捷点。 电气连接是通过将柔性电气绝缘电线连接到电气馈通件的楔块上的连接块来实现的。在标准形式中，BOS-IW 装置可与 MCP/荧光粉组件一起安装在带有电气连接块的楔形外壳上。还提供 BOS-IW 套件，包括带有电气馈入装置、视口、线性运动馈入装置和摄像系统的 BOS-IW 装置。Beam Imaging Solutions BOS-18-IW光束轮廓分析仪技术信息
| 成像区域 | 直径 18 毫米 |
|---|---|
| MCP（标准） | 0.975 英寸直径 （BOS-18-IW），10 微米通道直径，成像级，18 毫米有效面积，12 微米间距，5° 偏角，40：1 纵横比（标准，BOS-18-IW），最大增益：2 x 104（单板，标准）1000V > 107（V 形，OPT-01），2000V |
| 荧光屏（标准） | P-43 带铝涂层。P-43 峰值波长：λ= 545 nm。 |
| 电源要求 | 0 – + 1000V，1mA 单 MCP（标准），0 – + 2000V，1mA 双 MCP（选件 01），0 – + 5000V，1 mA 荧光屏 |
| 光束能量范围 | 1 eV 至 50 keV 以上 |
| 束流范围 | < 10 μA（带可选的光束衰减格栅） |
| 真空 | 运行 MCP 需要 1 x 10-6 Torr 或更高温度，兼容 UHV，最高烘烤温度 300 C |
Beam Imaging Solutions BOS-18-IW光束观测系统可选设备
双 MCP 系统、MCP 涂层和 MCP 类型：
- 型号 BOS-18-IW，带 BOS-18-IW-OPT-01 双 MCP 选项
- 带有可选涂层的 MCP，用于增强紫外线和 X 射线（KBr、CsI、Cu、CuI、MgO、Au、MgF2）的成像
- 具有高增益和分辨率的 MCP
- 具有匹配特性阻抗的 MCP
- 线性运动馈通、电气馈通、视口（有关更多信息，请联系 BIS）
- BOS-18-IW 带可选的线性运动馈通和光束衰减网格
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