用于3英寸目标的磁控管源 160 ISO-K 溅射工艺磁控溅射源

磁控管源，用于在溅射过程中施加具有高均匀性的薄层。适用于直径为 3 英寸的目标。根据溅射工艺所需的条件，我们提供2种类型的光源：B型和C型。所有类型都与我们的 M600DC-PS 电源以及市场上所有其他直流、射频和脉冲直流电源完全兼容。源类型B B型磁控管源用于在溅射过程中施加具有高均匀性的薄层。该源与 UHV 条件兼容。磁控管源设计用于溅射磁性和铁磁材料。它可以在厚达 7 毫米的目标上运行。

安装法兰	DN 160 CF*
最大功率（直流模式）	600 W 直流 **
最大功率（射频模式）	600 W 射频 **
最大电压直流	1200 V
直流/射频连接器	类型 7/16
目标
形式	戒指
直径	3英寸（76.2毫米）±0.2毫米
厚度	1 – 7 毫米（磁性和非磁性）
冷却	间接
㳁	最小 1 升/分钟
最高进水温度	< 28 °C
最大水压	3 巴
油管直径	直径6×1毫米聚四氟乙烯
磁铁材料	钐钴
磁铁最高温度	350°C
内部气动快门	是的
快门类型	圆顶型或平摆
原位倾斜模块	是，范围 +45° ÷ -10°
烟囱	是的
专用材料：
	200 W 的典型速率 [nm/min]：
铜	18，72 纳米/分钟（距离：170 毫米;靶材厚度：3 毫米）***
钛	4，10 纳米/分钟（距离：170 毫米;靶材厚度：3 毫米）***
铁	5，16 纳米/分钟（距离：170 毫米;目标厚度：3 毫米）***
内部进气口	是（录像机标准）
工作气体	阿尔
最大工作压力	5×10日^-3– 1×10^-1毫巴
最佳工作压力	5×10日^-3– 5×10^-2毫巴

* 可根据要求提供其他安装法兰 ** 最大功率由目标材料决定 *** 距离取决于腔室和磁控管的几何形状源类型C C型磁控溅射源与RF和DC兼容，可以沉积许多类别的材料：导体，半导体和绝缘体。磁控管源能够创建均匀、均匀和小颗粒的薄膜;具有高密度（低空隙面积）、高镜面反射率（反射率）、无辐射损伤和断裂键等优点。

安装法兰	DN 160 CF*
最大功率（直流模式）	600 W 直流 **
最大功率（射频模式）	600 W 射频 **
最大电压直流	1200 V
直流/射频连接器	类型 7/16
目标	守门员标准
形式	循环
直径	3英寸（76.2毫米）±0.2毫米
厚度	1 – 6 毫米
冷却	间接
㳁	最小 1 升/分钟
最高进水温度	< 28 °C
最大水压	3 巴
油管直径	直径6×1毫米聚四氟乙烯
磁铁材料	硼化钕铁（钕铁硼）
磁铁最高温度	200 °C
内部气动快门	是的
快门类型	圆顶型或平摆
原位倾斜模块	是，范围 +45° ÷ -10°
烟囱	是的
专用材料：
	200 W 的典型速率 [nm/min]：
铜	19，76 纳米/分钟（距离：150 毫米;靶材厚度：3 毫米）***
钛	4，08 纳米/分钟（距离：150 毫米;靶材厚度：6 毫米）* 4，32 纳米/分钟（距离：150 毫米;靶材厚度：3 毫米）*
内部进气口	是（录像机标准）
工作气体	阿尔
最大工作压力	5×10日^-3– 1×10^-1毫巴
最佳工作压力	5×10日^-3– 5×10^-2毫巴