印度Techinstro-Quartz Wafer 石英晶片

Quartz Wafer

石英晶片

  • 库存编号–101400
  • MOC–石英(二氧化硅)
  • 纯度–大于99.99%
  • 颜色-透明
  • 软化点–1710℃
  • 最高工作温度–1160°C
  • 密度–3.58克/立方厘米
  • 形状–矩形或圆形
  • 厚度–0.4毫米、0.5毫米、0.7毫米和1.0毫米
  • 直径–10毫米至200毫米
  • 方向–< 100 > < 110 > < 111 >
  • 透射率–251-2500纳米时大于90%,200-250纳米时大于80%
  • 均方根粗糙度–< 10
  • 表面抛光–SSP(单面)或DSP(双面)
  • 储存–在室温下
  • 交付方式–空运、运输或海运
  • 包装——根据数量装在晶圆载具中
  • 可用包装尺寸–1、5、10、25、100及更多

石英晶片的完整描述

石英晶圆具有许多独特的特性和性质,如高抗腐蚀性、高光学透过率、低介电损耗、良好的热导率和高工作温度。石英是高度纯净的,因此具有较高的工作和熔化温度。其三维网状结构具有出色的紫外透明性、耐热冲击性和接近零的热膨胀。由于其纯度,石英的热学和光学性质优于其他玻璃材料,非常适用于制造半导体和实验室设备。

石英晶片的制造工艺

石英晶圆可以制造成不同的尺寸、厚度,并且可以单面或双面抛光。熔融石英晶圆设计和开发成圆形或方形,具有平坦的SEMI或平坦表面,尺寸范围从1到12,厚度范围为0.4、0.5、0.7、1.1到3毫米。

石英晶片的工作机理

石英单晶体的加工通常通过水热合成进行。在装有NaOH的容器内(右图),石英原料被放置在底部,主要是高质量的熔融石英碎片。通过这种方式,石英在约400°C的温度和1000-1500巴的压力下,从NaOH的饱和溶液中结晶化,而温度略低于容器底部存在的SiO2源。 石英晶体的生长需要数小时或数天,形成重达数千克的单晶结构。生成的石英单晶在切割成晶片后进行抛光,最终形成石英晶圆。通常有四种切割类型,包括“X-Cut”、“Y-Cut”、“AT-Cut”和“ST-Cut”,它们在晶格的不同方向上发展,定义了表面的取向。 石英晶片基底具有高热导率、高抗腐蚀性、高工作温度特性和优异的光学透过率。在物理状态下它非常脆弱,因此必须将其包装在晶圆载体中。我们提供单晶片载体和多晶片载体。

石英晶片应用

  • 半导体
  • 光罩
  • 微波滤波器
  • 光学透镜
  • 用于光纤
 

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印度Techinstro-Quartz Wafer 石英晶片

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