Beam Imaging BOS-40-IW光束观察系统、MCP和P-43荧光屏组件、可连接到线性运动馈通
Beam Imaging BOS-40-IW光束观察系统、MCP和P-43荧光屏组件、可连接到线性运动馈通
90度BOS，它允许光束与成像平面成90度角进行远程成像。BOS-40-IW可以连接到一个线性运动馈通装置上，并放置在光束内和光束外，以便在真空室深处进行远程成像。产品概述
光束成像解决方案(BIS)介绍了90度BOS，它允许光束与成像平面成90度角进行远程成像。BOS-40-IW可以连接到一个线性运动馈通装置上，并放置在光束内和光束外，以便在真空室深处进行远程成像。通过将标准BOS MCP/荧光屏叠层安装到金属外壳上来实现成像，该金属外壳具有相对于成像平面成90度安装的镜子。外壳是楔形的，以最小化成像器的物理尺寸，并且具有用于连接到线性运动馈通的方便点。电连接是通过将柔性电绝缘导线从电馈通装置连接到楔形物上的连接块来实现的。在他们的标准形式，可与微通道板/磷光装配安装到楔形外壳与电气连接块。BOS-IW套件也可用，并包括BOS-IW单元与电气馈通，视口，线性运动馈通和相机系统。| Imaging Area | 40mm Diameter |
|---|---|
| MCP (Standard) | 1.975″ Diam. (BOS-40-IW), 10 micron channel diameter, Imaging Grade, 40mm active area, 12 micron pitch, 8° Bias Angle, 46:1 Aspect Ratio (Standard, BOS-40-IW), Max. Gain: 2 x 104 (single plate, Std.) 1000V > 107 (chevron, OPT-01), 2000V |
| Phosphor Screen (Standard) | P-43 with aluminum overcoat. P-43 Peak Wavelength: λ= 545 nm. |
| Power Supply Requirements | 0 – + 1000V, 1mA single MCP (Standard), 0 – + 2000V, 1mA dual MCP (OPT-01), 0 – + 5000V, 1 mA Phosphor Screen |
| Beam Energy Range | 1 eV to over 50 keV |
| Beam Current Range | < 10 μA (with optional beam attenuation grids) |
| Vacuum | 1 x 10-6 Torr or better required to operate MCP, UHV compatible, maximum bakeout temperature 300 C |
双MCP系统、MCP涂层和MCP类型:
- 型号为BOS-40-IW，带BOS-40-IW-OPT-01双MCP选项
- 具有可选涂层的MCP，用于增强UV和X射线的成像(KBr、CsI、Cu、CuI、MgO、Au、MgF2)
- 高增益和高分辨率MCP
- 具有匹配特性阻抗的微通道板
荧光屏
图像处理系统(可选)
- IPS-1型(帧抓取器(PCI总线)、电缆、软件)
电源(可选)
- MCPPS-1型(MCP电源，单MCP，0-1kV)
- MCPPS-2型(MCP电源，双MCP，0-2kV)
- PHSPS-1型(荧光屏电源，0-5kV)
杂项选项
- 射束衰减栅格(90%、99%、99.9%)
- 确定所需衰减网格数量时，请使用以下标准:
- Ion beams greater than 3.2 nA/mm2, 90% beam attenuation (1 grid)
- Ion beams greater than 31.8 nA/mm2, 99% beam attenuation (2 grids)
- Ion beams greater than 318.nA/mm2, 99.9% beam attenuation (3 grids)
- 电子抑制栅极
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