Beam Imaging RFIS-100离子源装置、射频离子源、G-1和G-2型离子枪加速器系统、RF离子源

BIS介绍了新型RFIS-100离子源装置。RFIS-100被设计成可根据标准进行改装G-1和G-2型离子枪加速器系统。离子源在13.56 MHz的RF电源下工作，手动调节匹配网络以产生电感耦合等离子体(ICP)。与标准的Colutron热阴极DC放电源相比，RF离子源具有许多优点，包括维护间隔时间更长，尤其是使用氧气和活性气体时，以及更高的束流。

Ion Source Flange	6” (152mm) Conflat
RF Power Supply	13.56MHz, 500W
Sputter Target, Metal Ions (Optional)	200V, 0.5A
RF Antenna	6.5 Turn, 2mm diameter Cu tube, water cooled, 1/8″ VCR
Gas Isolator	10kV Isolation, 1/8” Swagelok input
RF Antenna Feedthrough	5kV Isolation, Copper, 1/8″ VCR
Plasma Start Circuit	12kV Isolation feedthrough
Water Cooling Requirement	1 Liter/min (RF Antenna)
Force Air Cooling Requirement	Fan built into Plexiglas Enclosure for High Voltage Safety protection. (Fan Specification:47 CFM, 12VDC, 200mA)
RF Match Network	Two Vacuum variable capacitors (Tune, Load), 10-1200 pF, 4kV (Nominal), 6kV (Max), 75A (Manual Tune), Pmax=15kW (@40MHz)
RFMB-100 Match Box Input Connections (5)	2 X 1/4” Swagelok, Water cooling, RF Antenna, 1/8” Swagelok, Source Gas Inlet, RF Type N, Male, BNC, Male, Sputter Target Supply
模型	RFIS-100, RFIS-101, RFIS-007, RFIS-010, RFMB-100, RFMB-200

RFIS-100被设计成可根据标准进行改装G-1和G-2型离子枪加速器系统。离子源在13.56 MHz的RF电源下工作，手动调节匹配网络以产生电感耦合等离子体(ICP)。与标准的Colutron热阴极DC放电源相比，RF离子源具有许多优点，包括维护间隔时间更长，尤其是使用氧气和活性气体时，以及更高的束流。除了能够从气体中产生离子之外，新的离子源具有通过在放电室中用金属靶溅射源气体来产生金属离子的额外能力。还没有Colutron离子枪的客户可以购买新的离子源，以适合他们自己的离子加速器系统。拥有Colutron离子枪的用户将从离子枪上取下标准的Colutron DC离子源和散热器组件，并将RF离子源直接连接到Colutron 500型绝缘体法兰上。射频源不需要Colutron散热器即可工作。