CrysTec GmbH 半导体材料硅/锗晶片和衬底可按需提供表面涂层（氧化物、氮化物、金属）

半导体材料硅/锗晶片和衬底

-元素半导体 （Si、Ge）和半导体化合物 （例如GaAs、GaP、InP、InSb、CdTe、ZnSe……） -标准晶圆和预处理- 直接从库存中成型的基材，也可以是单件 -特殊形状的晶体和 根据要求提供非标准属性  

半导体材料 硅标准产品：

取向：（100）（111） 直径：2英寸至6英寸 表面：抛光/刻蚀 也可提供即用于外延生长的衬底，例如10 x 10 毫米² 可按需提供表面涂层（氧化物、氮化物、金属） 其他尺寸和规格也可提供 半导体材料 硅性质： 结构：立方晶体 晶格常数：0.543 纳米 密度：2.329 克/立方厘米 熔点：1412°C 带隙：1.14 电子伏特 生长方法：Czochralski法 悬浮区域法 掺杂剂：n-磷 n-砷 n-锑 p-硼 电阻率：1-10 欧姆厘米 大于10 千欧姆厘米  

半导体材料锗标准产品：

取向：(100)(111) 直径：2英寸至4英寸 表面：抛光/刻蚀 也可提供即用于外延生长的衬底，例如10 x 10 毫米² 也可以提供其他尺寸和规格

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