德国Sglux-SiC UV Photodiodes-Broadband UV碳化硅紫外光电二极管
型号：
SG01S-18 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.06毫米，TO18外壳
SG01S-18S UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.06毫米，TO18短帽
SG01S-18ISO90 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.06 mm，TO18外壳，隔离
SG01S-18D UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.06 mm，带扩散片，TO18外壳
SG01S-5 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.06毫米，TO5短帽
SG01M-18 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.20毫米，TO18外壳
SG01M-18S UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.20毫米，TO18短帽
SG01M-18ISO90 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.20 mm，TO18外壳，隔离
SG01M6H-18 UVA+UVB+UVC，6H SiC芯片，芯片有效面积= 0.20 mm，TO18外壳
SG01M-5 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.20毫米，TO5短帽
SG01M-5透镜 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.20毫米，TO5镜头盖，根据EN298标准(火焰检测，还有H2燃烧器)
SG01M6H-5 UVA+UVB+UVC，6H SiC芯片，芯片有效面积= 0.20 mm，TO5短帽
SG01D-18 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.50 mm，TO18外壳
SG01D-18S UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.50毫米，TO18短帽
SG01D-18ISO90 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.50 mm，TO18外壳，隔离
SG01D-18D UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.50 mm，带扩散片，TO18外壳
SG01D-5 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.50 mm，TO5短帽
SG01D-5透镜 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.50毫米，TO5镜头盖，根据EN298标准(火焰检测，还有H2燃烧器)
SG01D-5ISO90 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 0.50 mm，TO5短帽，隔离
SG01L-18 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 1.00毫米，TO18外壳
SG01L-18S UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 1.00毫米，TO18短帽
SG01L-18ISO90 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 1.00 mm，TO18外壳，隔离
SG01L-5 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 1.00毫米，TO5短帽
SG01L-5ISO90 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 1.00 mm，TO5短帽，隔离
SG01L-5透镜 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 1.00毫米，TO5镜头盖
SG01L-SMD UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 1，00 mm，3535 SMD陶瓷外壳，带矿物窗玻璃材料
SG01F-5ISO90 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 1.82 mm，TO5短帽，隔离
SG01XL-5 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 7.60 mm，TO5外壳
SG01XL-5ISO90 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 7.60 mm，TO5短帽，隔离
SG01Q-5 UVA+UVB+UVC，象限光电二极管，芯片有效面积= 4 x 1.4 mm，TO5短帽
SG01XXL-8ISO90 UVA+UVB+UVC，芯片有效面积= 36.00 mm，TO8短帽，隔离
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