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英国Leysop ltd 8mm双晶 KD*P 普克尔盒

非常适合在较低电压下进行 Q 开关和脉冲拾取。

双晶普克尔盒

与其中半波电压取决于长宽比（电极之间）的横向模式普克尔斯盒不同，纵向场普克尔斯盒的半波电压对于给定波长是固定的并且仅随电池几何形状微弱地变化。这导致大多数应用的工作电压非常高（例如，对于 1064nm，> 6kV）。一种解决方案显然是使用横向模式设备，并且对于某些应用来说这是合适的。然而，在许多情况下，只有纵向场设备才能提供正确的光学性能（尤其是在需要更高消光比的情况下）。解决方案是将两个 Pockels 盒组合在一起，当由一个公共电压源驱动时，每个单元提供总旋转的一半。这种方法的逻辑结论是将两种晶体组合在一个封装中。这减少了损耗、总体尺寸、组件数量和对齐以及设置时间（这将成为制造商的工作！）。结果是复合器件以大约两倍的负载电容为代价将所需的驱动电压减半。与我们所有其他纵向普克尔斯盒一样，这些盒可以提供一个、两个或四个端子配置（如上图所示），并且可以提供填充晶体和窗口之间空间的折射率匹配流体（首选）或干燥，晶体上有或没有抗反射涂层。如果需要控制由多次反射引起的干涉效应，可以指定倾斜的窗口和/或楔形晶体（后者可能需要少量费用）。 Leysop可以生产任何孔径尺寸的两个普克尔斯晶胞，孔径最大可达 25 毫米，但最常见的孔径是 8 毫米、10 毫米和 12 毫米。我们还生产compact普克尔斯盒系列中的两种晶体器件以及单晶和双晶版本的超快普克尔斯盒 (UPC)。如果您有此处所见未满足的任何特殊要求，请联系我们。

LEYSOP pockels cell示例规范

范围	性能
光圈	8mm
波长范围	0.3-1.2µm
半波电压 @ 1.06µm	3.75kV
最大电压	8kV
光上升时间	< 0.25 纳秒
对比度 @ 1.06µm	> 600:1
电容未端接	~20pf
损伤阈值 Q 开关	600MW/cm²
插入损耗	2% 到 3%
终止	HVBNC 或 M2.5 螺柱