美国 Universitywafer GaN 蓝宝石衬底 Al2O3 衬底

美国 Universitywafer GaN 蓝宝石衬底 Al2O3 衬底美国 Universitywafer GaN晶圆蓝宝石GaN 长期以来，硅一直是电力电子的首选基板，但由于研究的进步，GaN 已经取代了硅。这种变化的原因是 GaN 被认为是一种宽带隙材料。这意味着它在高温下运行时具有高击穿电压和出色的效率. 蓝宝石衬底的GaN晶圆是无线电能量放大的理想材料。与硅相比，它具有许多优点，包括更高的击穿电压和更好的高温性能。 Gallium Nitride on Sapphire Wafer Gallim 氮化物（GaN）射频功率是包括硅在内的上一代材料的五倍。新的 GaN 技术进步应该会带来更轻、更小、更强大的电子设备。 GaN 外延片由 6H-SiC 衬底上的 GaN 层组成。轴向直径 50 mm，n 型，GaN 厚度 ~0.5 um 蓝宝石上的 GaN 层，轴向直径 50 mm，n 型，GaN 厚度 0.5-10 um。 GaN/AIN/SiC 外延片由 6H 碳化硅上的 AIN 层上的 GaN 层组成。轴向直径 50mm，n 型。 GaN 厚度 ~（0.5-0.8） um。 AIN 厚度 ~0.1 微米。 GaN/AIN/AI2O3 外延片由蓝宝石上 AIN 层上的 GaN 层组成。直径 50mm，同轴，n 型，GaN 厚度 ~（0.5-0.8） um，AIN 厚度 ~0.1 um。

GaN 外延生长在 Al2O3 衬底上

GaN 是一种二元 III/V 直接带隙半导体，自 1990 年代以来常用于明亮的发光二极管。该化合物是一种非常坚硬的材料，具有纤锌矿晶体结构。其 3.4 eV 的宽带隙使其具有特殊性能，适用于以下应用：

光电
大功率器件
高频设备

例如，GaN 是使紫色（405 nm）半导体激光管成为可能的衬底，而无需使用非线性光学倍频。它对电离辐射的敏感性很低（与其他 III 族氮化物一样），使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。军事和太空应用也可能受益，因为设备在辐射环境中表现出稳定性。氮化镓晶体管可以在比砷化镓（GaAs） 晶体管高得多的温度下工作，并在高得多的电压下工作，它们是微波频率的理想功率放大器。

蓝宝石上的 HEMT 结构，2 英寸

蓝宝石上的 2 英寸 AlN 晶圆蓝宝石上的 2 英寸 GaN 晶圆（未掺杂），厚度为 4um 蓝宝石上的 2 英寸 GaN 晶圆（硅掺杂），厚度为 4um 蓝宝石上的 2 英寸 GaN 晶圆（掺镁），厚度为 4 微米 Si 衬底上的 HEMT 结构，SiC 衬底上的 2 英寸 HEMT 结构，2 英寸 2 英寸氮化镓蓝色或绿色 LED 晶圆