美国 ANGSTROM ENGINEERING 金（Au）涂层硅晶片和芯片

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金（Au）涂层硅晶片和芯片

所有涂层均在高真空条件下通过电子束蒸发沉积而成。应用领域包括纳米技术、生物技术和原子力显微镜应用。在硅和金涂层之间使用薄铬附着层。该附着层为可选项，也可根据要求用钛代替。所有晶圆均在洁净室环境中包装，并以单独的晶圆载体装运。基底硅晶片（特级）类型/掺杂剂： P/硼方向 <100> 电阻率： 1-50 Ω-cm 正面：抛光背面：蚀刻涂层金，Au 纯度： 99.999 沉积技术：电子束蒸发沉积速率： 1-2 Å/s 1-2 Å/s 工艺压力 ≤ 2E-6 Torr 附着层铬 (99.95 %)

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