德国Sglux-SiC UV Photodiodes-UVA 碳化硅紫外光电二极管

SiC UV Photodiodes-UVA 碳化硅紫外光电二极管 光谱灵敏度从309到367纳米，峰值波长331纳米， 不同的包装，按探测器区域分类。

型号：

SG01S-A18，UVA, chip active area = 0.06 mm², TO18 housing SG01S-A5，UVA, chip active area = 0.06 mm², TO5 housing SG01M-A18，UVA, chip active area = 0.20 mm², TO18 housing SG01M-A5，UVA, chip active area = 0.20 mm², TO5 housing SG01D-A18，UVA, chip active area = 0.50 mm², TO18 housing SG01D-A18ISO90，UVA, chip active area = 0.50 mm², TO18 housing, isolated SG01D-A5，UVA, chip active area = 0.50 mm², TO5 housing SG01L-A18，UVA, chip active area = 1.00 mm², TO18 housing SG01L-A5，UVA, chip active area = 1.00 mm², TO5 housing SG01XL-A5，UVA, chip active area = 7.60 mm², TO5 housing

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德国Sglux-SiC UV Photodiodes-UVA 碳化硅紫外光电二极管

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