电子束蒸发器 EBV 40A1 超纯亚单层和多层 MBE 薄膜生长

电子束蒸发器 EBV 40A1 专为超纯亚单层和多层 MBE 薄膜生长而设计。精确定义的蒸发光束意味着在样品上高度均匀的沉积，沉积面积由电子束蒸发器到样品的距离以及选择易于更换的出口孔之一决定。电子束蒸发器 EBV 40A1 可配置手动或自动快门选择。定制插入长度 190 – 345 mm（其他可根据要求提供）。技术规格：

安装法兰	DN 40CF（可旋转）
温度范围（用于蒸发材料）	160 °C – 2300 °C（钼连接器为 3300 °C）
灯丝电流	典型值为 1.8 – 2.2 A，最大 2.3 A
蒸发棒直径	标准 2 mm（其他根据要求提供），步长 2 mm，送丝 25 mm 线长 43 mm
水冷（必需）	水流量：> 0.5 升/分钟，温度：20-30 °C，最大压力：6 巴
出口孔径直径	套装 1：ID 4、ID 6、ID 7.4（标准）套装 2：ID 10、ID 14、ID 19
快门类型	手动或气动
功率	– 50 W 用于高蒸气压材料 – 高达 200 W 用于坩埚和粗线
能量范围	1 – 1500 eV
阴极类型	钍钨
坩埚类型（可选）	克努森细胞类型由以下材料制成：Mo，W，衬垫PBN，Al₂O₃
坩埚容积	0.07 毫升
蒸发材料	根据坩埚类型的所有典型材料
其它	– 通过离子电流调节通量，包括电极、馈通件、显示单元和 PID 调节器 – 后装蒸发剂
插入长度	最小 190 mm （其他应要求提供）外径： 34.8 mm
沉积区域	取决于工作距离（例如，6 mm 表示距离 25 mm – ID 4，33 mm 表示距离 75 mm – ID 19）
工作距离	25 – 75 mm （最佳）
烘烤温度	最高 250°C
工作压力	<10^-5毫巴