WaferPro 浮球区 FZ硅片晶圆
WaferPro 浮球区 FZ硅片晶圆 WaferPro 提供优质的浮球区 （FZ） 硅晶片，以满足不断增长的纯度需求。FZ Silicon 具有极低的氧和碳杂质，可为关键应用提供无与伦比的质量。 这些晶圆针对太阳能芯片、射频电路、精密功率器件和太赫兹计算进行了优化，为尖端创新提供了动力。其超纯单晶结构增强了电气特性，可实现高精度电流控制和复杂功能。 无论是通过提高灵敏度实现下一代传感器，还是将功率设备推向新的水平，我们的浮球区晶圆都是追求硅性能极限的客户的理想选择。由于新兴技术需要更高的速度、效率和功能，因此依靠 WaferPro 的浮区硅将愿景变为现实。 我们致力于满足最严格的纯度规格，我们提供FZ 晶圆准备好在现在和未来几年推动高科技行业的未来。
可选类型
HIRES FZ-高电阻率浮区硅片 高电阻率浮区硅片是最常见的 FZ 晶片类型。它们由电阻率大于 1,000 ohm-cm 的高纯度 FZ 锭制成。这些晶圆非常适合 RF MEMS 开关、发射器和接收器芯片以及微波和毫米波电路和设备。 未掺杂FZ浮区硅晶片 未掺杂浮子区 (FZ) 硅晶片是使用浮子区方法生长的硅衬底，没有故意引入掺杂剂原子。它们是本征型的，具有大于 10,000 ohm-cm 的高电阻率。 NTD FZ-中子掺杂浮区硅片 NTD FZ 晶片由未掺杂的高纯度 FZ 锭制成，这些锭使用中子嬗变掺杂掺杂工艺进行掺杂。这会产生电阻率范围较低但更严格的 N 型材料。这些晶片用于制造半导体功率器件的组件 GD FZ-气体掺杂浮区硅片 气体掺杂 FZ 晶片由 F2 铸锭制成，该铸锭有意掺杂了在熔融界面处引入的气态掺杂剂。这个过程沿铸锭的长度提供了良好的均匀性。 FZ 晶圆具有很强的可定制性，并且参数可根据您的需要非常灵活。| 直径 | 2 英寸（50.8 毫米） | 3 英寸（76.2 毫米） | 4 英寸（100 毫米） | 5 英寸（125 毫米） | 6 英寸（150 毫米） | 8 英寸（200 毫米） | 12 英寸（300 毫米） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 类型 | P、N、内在函数 | ||||||
| 掺杂 | 硼 （B）， 磷 （Ph）， 未掺杂 | ||||||
| 取向 | （1-0-0）、（1-1-1）、（1-1-0）、自定义 | ||||||
| 电阻率 （ohm-cm） | 1 - 30,000+ | ||||||
| 厚度 （um） | 20 - 2,000+ | ||||||
| 平面/缺口 | 无平， SEMI 主要平屋， Jeida 平屋， 2 个 SEMI 平屋， 缺口 | ||||||
| 完成 | SSP、DSP | ||||||
- 卓越的均匀性：WaferPro FZ 晶圆的杂质和缺陷密度极少，可在最重要的地方提供一致的性能。
- 无与伦比的定制：我们根据您的确切应用需求定制氧含量、电阻率、晶体取向、厚度和直径。
- 保证可靠性：严格的质量控制验证了晶圆的完整性，以实现可靠的长期功能。
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