美国R.D. Mathis SO-100/SO-150/SO-200/SO-250/SO-300/SO-500/SO-800//SO-1000/SO-1500/ /SO-2000 大容量 SiO / ZnS 蒸发源|镀膜机用蒸发舟|带挡板盒式蒸发源|R.D. Mathis蒸发舟|进口代理R.D. Mathis

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High Volume SiO / ZnS Sources

High Volume SiO / ZnS Sources

R.D. Mathis 大容量 SiO / ZnS 蒸发源规格参数

型号	电压	电流	功率	温度	容量
SO-100	3.7 V	540 A	1998 W	1200°C	100 cc
SO-150	3.9 V	620 A	2418 W	1200°C	150 cc
SO-200	4.1 V	860 A	3526 W	1200°C	200 cc
SO-250	4.15 V	955 A	3963 W	1200°C	250 cc
SO-300	4.2 V	1075 A	4515 W	1200°C	300 cc
SO-500	4.3 V	1135 A	4881 W	1200°C	500 cc
SO-800	4.4 V	1200 A	5324 W	1200°C	800 cc
SO-1000	4.5 V	1440 A	6480 W	1200°C	1000 cc
SO-1500	4.6 V	1580 A	7268 W	1200°C	1500 cc
SO-2000	4.8 V	1620 A	7776 W	1200°C	2000 cc

带挡板的盒式蒸发源

R. D. Mathis 公司的带挡板盒式蒸发源（Baffled Box Source）已被证明可可靠地用于一氧化硅（SiO）的沉积。 这种设计的工作方式是：将源材料分别放置在盒体内部相互分隔的腔体中。

1. 加热后，汽化的材料沿着一系列挡板形成的曲折路径间接运动。
2. 这种曲折路径能够过滤掉颗粒物，颗粒物随后通过烟囱式排气口排出。
3. 在整个薄膜形成过程中，基片始终不会与大量源材料形成直视通路，从而抑制喷溅和流束现象，减少由此产生的针孔类缺陷。

定向沉积与定制

标准蒸发源可提供向上、向下或水平方向的排气口，以实现定向沉积。 根据具体沉积需求，可按照要求定制排气口的位置以及盒体的容量。

一氧化硅和硫化锌应用

如需了解一氧化硅热蒸发技术及其沉积效果，可参考哈尔克斯公司的厄尔·奥尔森与R·D·马西斯共同撰写的论文《采用多挡板盒式蒸发源进行一氧化硅蒸发》。    

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