美国Agiltron MEMS 1×N 光纤开关,可在毫秒级时间内无源地建立光信号路径

MEMS 1×N 光纤开关

(最多 196 端口,无阻塞,双向,无源,开关通断比 65 dB)

该 MEMS 光纤开关可在毫秒级时间内无源地建立光信号路径,支持所有数据速率,具有业界领先的性能、重复性和长期可靠性,适合连续运行。专为自动化测试环境设计,灵活的机架式平台支持多种光学模块,包括可变衰减器、功率监测器和偏振相关损耗(PDL)测量模块,非常适用于测试无源器件、收发器和线路卡。控制接口包括本地 RS‑232、USB、GPIB,并配有图形用户界面;远程以太网 GUI 兼容标准网络管理协议。1U 前面板可容纳约 40 个 LC 连接器(1×36 配置),机箱高度取决于连接器类型和端口数量。提供全面的命令集用于软件集成;但不包含定制代码调试,不过可选择应用编程接口(API)服务,以简化远程制造集成。为实现最短的命令到开关延迟,建议使用专用的实时计算机(例如运行实时 Linux 的单板系统)以获得最佳性能。

由于 Windows 系统固有的计算机延迟,可通过使用基于 Linux 的控制器或直接在板卡上执行存储的开关序列来改善响应速度。在此模式下,主机只需发出启动、暂停和重复命令即可。

特点

应用

规格

参数 最小值 典型值 最大值 单位
工作波长 750 1250~1670 2400 nm
插入损耗 [1](单模) 1×8 0.5 0.7 dB
1×24 0.5 0.8 1.0
1×32 0.5 0.9 1.2
1×64 0.5 1 1.5
1×128 0.5 1.5 1.8
插入损耗 [2](多模) 0.5 1 4.3 dB
串扰,开关通断比(单模)[3] 65 dB
偏振消光比(保偏) 20 26 dB
开关速度(上升/下降)[4] 5 20 ms
耐久性 10⁹ cycle
偏振相关损耗 0.04 0.2 dB
波长相关损耗 [5] 0.1 0.3 dB
回波损耗 [3] 50 dB
重复性 0.05 0.1 dB
工作温度 -5 65 °C
端口间时延差 0.5 ns
光功率承受能力(连续波)[6] 300 500 mW
存储温度 -40 85 °C
交流电源 90 ~ 240 V(50 / 60 Hz)
重量 15 kg
封装尺寸 1RU / 2RU / 4RU,深度 < 400 mm

注释:

  1. 测量条件:损耗在 1550 nm 处测量,不含连接器,使用 SM28 光纤。每个连接器增加 0.2–0.3 dB 损耗。较短或较长波长下损耗会增加。 提供 0.5 dB 低损耗版本

  2. 多模开关性能:多模开关的光学性能取决于纤芯内的模式填充比(CPR)。小填充比(如使用单模激光器)会导致较低损耗;大填充比(如使用 LED)会导致较高损耗,差异可达 50 倍。

  3. 光纤类型考量:在相似条件下,多模(MM)光纤的性能值通常低于单模(SM)光纤。

  4. 开关本征性能:所提供的性能值反映开关器件本身的能力。远程控制会引入额外延迟,以太网延迟最长。使用基于 Linux 的计算机可减少 CPU 引起的延迟。

  5. 带宽范围:性能规格在中心波长 ±50 nm 带宽内有效。

  6. 最大额定功率适用于 1×N 配置。对于 N×1 应用,最大输入功率为所有输入端口功率之和。指定最大值在波长高于 1310 nm 时有效;在较短波长下,由于模场直径较小,光功率承受能力会降低。

   

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