美国 TRS Technologies 可定制压电陶瓷压电材料

美国 TRS Technologies 可定制压电元件 定制压电元件 我们提供多种形状和尺寸的压电和介电材料，以满足您的应用需求。请今天就联系我们，看看我们如何携手合作。 快速交付压电技术 TRS为需要更快周转或订单量较小的客户提供库存商品。声学

无与伦比的压电技术为您的系统提供卓越的带宽和输出，助您领先竞争对手。
单晶PMN-PT具有卓越的性能，有望革新从医疗超声到自适应光学和能量采集等应用领域。TRS晶体表现出比传统压电陶瓷的5倍应变能量密度和显著更高的机电耦合。
应用与优势

驱动

在常温和低温下具有优越应变（77K时晶体应变与293K时陶瓷应变相当）
相比陶瓷，驱动场可能更低
独特的模式允许新颖的设计

精选材料性质区间 TRS下松弛子-PT晶体的典型性质范围（菱面体相K）_t模板厚度>= 0.35毫米，沿<001>极极，对称度为4毫米）

	X2B （PMN-PT）	X4B （PIN-PMN-PT）	X6B （Sm：PIN-PMN-PT）	Mn：PIN-PMN-PT （R&D）
Ɛ₃₃^Τ（K)	5000-7000	4000-6000	4900-7000	2900-3900
Tanσ（%）	≤0.9%	≤0.9%	≤1.2%	≤0.2%
d₃₃（pC/N）	1500-2400	1200-2100	1350-2600	1100-2000
k_t	0.55-0.59	0.52-0.58	0.52-0.58	0.52-0.58
k₃₃	0.91-0.96	0.90-0.95	0.90-0.96	0.89-0.95
V_t（/s）	4500-4850	4340-4650	4350-4660	4340-4650
N_t（赫兹分）	1900-1960	1870-1930	1880-1970	1860-2000
T_c（°C）	130-145	150-200	143-175	170-210
T（°C）	86-100	105-130	80-100	110-130
E_c（kV/cm）	1.9-2.5	4.5-6.0	4.0-5.0	4.5-6.0
Q_m	80	150	140	500

注释： （1） k₃₃由 [001] 极化 k 计算得出_t模式牌（2） Q_m值仅为参考值（3） X6B 的性质范围为初步 可用作品 PMN-PT TRS X2B（第一代） 高应变和高耦合，适合高灵敏度应用。 PIN-PMN-PT TRS X4B（第二代） 更高的压力场，适合你高驱动的应用。 Sm：PIN-PMN-PT TRS X6B（第三代） 高介电介电常数、高耦合和高矫阻场，适用于高灵敏度和宽带宽的换能器。 Mn：PIN-PMN-PT（第三代） 高耦合率和机械质量系数适用于高功率换能器和执行器应用。下一代PIN-PMN-PT材料有限量供应，并配有特殊生长批次。 标准零件与公差 我们的PMN-PT材料提供圆盘、环和板状。 开发单晶器件 单晶PMN-PT压电器件为执行器、换能器和复合材料提供了独特的优势。我们可以通过设计和制造执行器、换能器或复合材料，帮助您探索单晶压电材料的优势。