德国Sglux-SiC UV Photodiodes-UVB+UVC 碳化硅紫外光电二极管

德国Sglux-SiC UV Photodiodes-UVB+UVC 碳化硅紫外光电二极管

SiC UV Photodiodes-UVB+UVC 碳化硅紫外光电二极管 光谱灵敏度从231到309纳米，峰值波长280纳米， 不同的包装，按探测器区域分类。

型号：

SG01S-BC18，UVB+UVC，芯片有效面积= 0.06 mm，TO18外壳 SG01M-BC18，UVB+UVC，芯片有效面积= 0.20 mm，TO18外壳 SG01M-BC5，UVB+UVC，芯片有效面积= 0.20 mm，TO5外壳 SG01D-BC18，UVB+UVC，芯片有效面积= 0.50 mm，TO18外壳 SG01D-BC18ISO90，UVB+UVC，芯片有效面积= 0.50 mm，TO18外壳，隔离 SG01D-B5，UVB，芯片有效面积= 0.50 mm，TO5外壳 SG01L-BC18，UVB+UVC，芯片有效面积= 1.00 mm，TO18外壳 SG01L-BC5，UVB+UVC，芯片有效面积= 1.00 mm，TO5外壳 SG01XL-BC5，UVB+UVC，芯片有效面积= 7.60 mm，TO5外壳

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