Innolume SLD超辐射发光二极管
与激光二极管类似，超辐射发光二极管基于电驱动pn结，当正向偏置时，该pn结具有光学活性，并在宽波长范围内产生放大的自发发射。SLD的峰值波长和强度取决于活性材料组成和注入电流水平。SLD被设计为对于沿着波导产生的自发发射具有高的单通放大，但是与激光二极管不同，反馈不足以实现激射作用。这是通过倾斜波导和防反射涂层刻面的共同作用非常成功地获得的。 SLD是具有相当宽的光学带宽的光源。它们不同于光谱非常窄的激光器和光谱宽度大得多的白色光源。这种特性主要反映在光源的低时间相干性上（这是发射的光波随时间保持相位的有限能力）。然而，SLD可能表现出高度的空间相干性，这意味着它们可以有效地耦合到单模光纤中。一些应用利用SLD源的低时间相干性来实现成像技术中的高空间分辨率。相干长度是经常用于表征光源的时间相干的量。它与光学干涉仪的两臂之间的路径差有关，在该干涉仪上光波仍然能够产生干涉图案。 一方面，SLD是被优化以产生大量放大自发发射（ASE）的半导体器件。为了做到这一点，它们结合了高功率增益部分，其中以30dB或更高的高增益因子放大种子自发发射。另一方面，SLD缺乏光学反馈，因此不可能发生激光作用。通过使小平面相对于波导倾斜来抑制从光学部件（例如连接器）到腔中的光的背反射产生的光学反馈，并且可以通过抗反射涂层来进一步抑制。避免了共振器模式的形成，从而避免了光谱中明显的结构和/或光谱变窄。
| Part number | Mean wavelength | Bandwith FWHM | Output power | Operating current | Forward voltage | Ripples RMS1 | PER |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| nm | nm | mW | mA | V | dB | dB | |
| SLD-1000-100-YY-15 | 1000 | 100 | 15 | 400 | 1.6 | 0.05 | 20 |
| SLD-1030-25-YY-130 | 1030 | 25 | 120 | 800 | 1.8 | 0.05 | 21 |
| SLD-1030-110-YY-12 | 1030 | 110 | 12 | 400 | 1.7 | 0.02 | 19 |
| SLD-1050-120-YY-40 | 1055 | 120 | 40 | 700 | 1.7 | 0.05 | 20 |
| SLD-1060-20-YY-120 | 1060 | 20 | 120 | 800 | 1.8 | 0.05 | 20 |
| SLD-1060-15-YY-300 | 1060 | 15 | 300 | 1700 | 2.0 | 0.3 | 21 |
| SLD-1064-20-YY-350 | 1064 | 20 | 350 | 850 | 1.9 | 0.8 | 18 |
| SLD-1090-30-YY-100 | 1090 | 30 | 100 | 800 | 1.7 | 0.05 | 16 |
| SLD-1120-20-YY-30 | 1120 | 20 | 30 | 300 | 1.5 | 0.05 | 20 |
| SLD-1140-80-YY-0.5 | 1140 | 80 | 0.5 | 250 | 1.3 | 0.05 | 19 |
| SLD-1190-90-YY-0.5 | 1190 | 90 | 0.5 | 315 | 1.4 | 0.02 | 19 |
| SLD-1250-110-YY-4 | 1250 | 110 | 4 | 800 | 1.5 | 0.05 | 19 |
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