美国 Universitywafer 用于制造 MEMS 器件的低导热性熔融石英
美国 Universitywafer 用于制造 MEMS 器件的低导热性熔融石英
美国 Universitywafer UV、JGS1、JGS2、JGS3熔融石英晶圆
一位研究
微机电系统 (MEMS) 的博士要求为他们的项目提供熔融石英衬底的报价。
我们正在将其视为一些需要构建薄膜的 MEMS 器件的可能衬底。我们通常使用 Si 晶圆进行,并通过晶圆进行背蚀刻。我们对二氧化硅感兴趣,因为它的导热性低。熔融石英晶圆是高纯度二氧化硅的薄片,用于生产半导体芯片等电子设备。熔融石英,也称为熔融石英,是一种高纯度和透明的二氧化硅形式,是通过在高温下熔化天然存在的石英砂制成的。熔融石英晶片具有很强的耐热性、耐化学性和耐化学性,使其成为电子设备生产中的理想基板材料。由于透明度高、吸收光率低,它们还用于生产光学元件,例如镜头和镜子。
直径
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厚 (um)
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波兰语
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| 50.8 毫米 |
500 微米 |
DSP |
JGS2 熔融石英顶部 Ra <1nm,背面粗糙度 Ra <1nm,S/D 40/20
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| 50.8 毫米 |
100 微米 |
DSP |
| 76.2 毫米 |
500 微米 |
DSP |
1 平面 JGS2 初级平面 32.5+/-2mm,顶部 Ra <10A,S/D 40/20
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| 100 毫米 |
500 微米 |
DSP |
机械级熔融石英
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| 100 毫米 |
500 微米 |
DSP |
| 100 毫米 |
1000 微米 |
DSP |
熔融石英 JGS2 经轴 <30um 弓 <30um, TTV <10um, 顶面 Ra <1.0nm 背面 Ra <1.0nm, S/D 60/40 平面: 32.5+/-2mm
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| 100 毫米 |
700 微米 |
DSP |
| 100 毫米 |
180 微米 |
DSP |
熔融石英晶圆,JGS2,C 坡口,2.50 mm +/- 0.10 mm
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| 100 毫米 |
2500 微米 |
DSP |
以下窗口已用于研究人员的红外研究。
报价编号
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直径
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厚
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油料
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品牌 /等级
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顶部 Ra
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背面 Ra
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| U01-W1-T-200812-1 |
100 +/-0.2 毫米 |
0.5+/- 0.05 毫米 |
DSP |
Corning 7979 |
<0.5纳米 |
<0.5纳米 |
| U01-W1-T-200812-2 |
100 +/-0.2 毫米 |
0.5+/- 0.05 毫米 |
DSP |
Corning 7978 |
<0.5纳米 |
<0.5纳米 |
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